Method for manufacturing photomask

フォトマスクの製造方法

Abstract

【課題】 フォトマスクの製造方法に関し、位相シフトマスクのシフター膜をドライエッチングする際、経時的な装置状態の変化に対応して常に最適なエッチング時間の設定を行うことができるように、特に、ハーフトーン型の位相シフトマスクにおいては、シフター膜形成やクロム遮光膜のエッチングによって生じるシフター膜厚のばらつきを考慮したエッチング条件の設定を行なうことができるようにする。 【解決手段】 位相シフトマスクに於ける位相シフター膜のドライエッチング工程に於いて、エッチング処理中に観測されるプラズマ電流−電圧間の位相差の平均値と位相シフター膜のエッチング速度の相関関係と位相差出力の経時変化とを用いて次回処理基板に於けるエッチング速度を予測し、然る後、最適エッチング時間を設定してエッチング処理を行なう過程が含まれてなることを基本とする。 【選択図】図2
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a photomask by which an optimum etching period can be always set corresponding to changes in a device state with lapse of time upon dry-etching a shifter film of a phase shift mask, particularly for a halftone phase shift mask, etching conditions can be set considering variance in the shifter film thickness caused by formation of a shifter film or etching of a chromium light shielding film. SOLUTION: A dry etching step of a phase shifter film in a phase shift mask essentially comprises predicting an etching rate in the next process substrate by using a correlation between an average phase difference in a plasma current-voltage and the etching rate of the phase shifter film observed during the etching process and using changes in the phase difference output with time, and then setting an optimum etching time to carry out the etching process. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

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