メモリコントローラ及びフラッシュメモリシステム

Memory controller and flash memory system

Abstract

【課題】フラッシュメモリ内の特定の領域に不良ブロックが集中したときでも特定の物理ゾーンに不良ブロックが集中することを回避できるメモリコントローラ、及び当該メモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステムを提供する。 【解決手段】対応関係にある論理ゾーンと物理ゾーンとの間で、論理ゾーン内の論理アドレスと物理ゾーン内の物理アドレスとの対応関係を管理し、各物理ゾーンに対しては物理ブロックを所定個数単位で順次振り分ける。振り分け先の物理ゾーンの個数が2 j 個で、物理ブロックの振り分け単位の所定個数が2 k 個のときには、物理ブロックアドレス(PBA)の下位から数えてk+jビット目からk+1ビット目の値に基づいて振り分け先の物理ゾーンを判別する。 【選択図】図4
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a memory controller, capable of avoiding concentration of defective blocks to a specific physical zone even for concentration of defective blocks to a specific area within a flash memory, and a flash memory system provided with the memory controller. SOLUTION: Between each logic zone and each physical zone having a correspondence, the correspondences of logic addresses in the logic zone and physical addresses in the physical zone are managed, and physical blocks are successively sorted to each physical zone by a predetermined number. When the number of physical zones in a sorting destination is two, and the predetermined number of the sorting unit of physical blocks is 2 k , the physical zones of the sorting destination are discriminated based on values of k+j bit to k+1 bit counted from the low order of physical block address (PBA). COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

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